近些年來(lái),硅晶圓片占半導體材料市場(chǎng)的比重基本保持穩定, 比重為 34%左右。 2015 年全球半導體硅片市場(chǎng)規模約為 80 億美元,是占比最大的 IC 制造材料。日本的 Shin-Etsu 和 Sumco 的銷(xiāo)售占比超過(guò) 50%,中國臺灣的環(huán)球晶圓在 2016 年先后并購了 Topsil 和 SunEdisonSemi,成為了全球第三大半導體硅片供應商,目前前六大硅片廠(chǎng)的銷(xiāo)售份額達到 92%,半導體硅片市場(chǎng)一直被巨頭壟斷。
由于 2016 年全年全球 DRAM 和 3D NAND Flash 出貨量增加以及硅片國際大廠(chǎng)產(chǎn)能有限, 再加上大陸投資的大尺寸硅片項目未能實(shí)現出貨,導致全球半導體硅片供應吃緊, 國際上前幾大硅片供應商的產(chǎn)能利用率均達到 100%。 三大半導體硅片廠(chǎng)均宣布將調漲 2017 年 Q1 的 12 英寸硅片價(jià)格 10~20%。
而據IC Insights 統計數據顯示,全球營(yíng)運中的 12 寸(300mm)晶圓廠(chǎng)數量持續成長(cháng),在 2016 年可達到 100 座, 到 2020 年底,預期全球應用于 IC 生產(chǎn)的 12 寸晶圓廠(chǎng)總數達到 117 座,若 18 寸(450mm)晶圓邁入量產(chǎn), 12 寸晶圓廠(chǎng)的高峰數量可達到 125 座左右。 由于 12 英寸( 300mm)的硅片主要是用來(lái)生產(chǎn)邏輯芯片和記憶芯片, 并且DRAM 與 NAND 閃存等未來(lái)五年年均複合增長(cháng)率( CAGR)可達7.3%,產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴增至 1,099 億美元,增長(cháng)率達到 42.2%, 因此,全球對于 300mm 大硅片的需求將持續擴張。 預計未來(lái)幾年硅片的缺貨將是常態(tài)。
國內集成電路產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò) 30 多年的大力發(fā)展,目前已形成了一定的產(chǎn)業(yè)規模,以及集成電路設計、芯片制造、封裝測試三業(yè)及支撐配套業(yè)共同發(fā)展的較為完善的產(chǎn)業(yè)鏈格局。目前我國半導體行業(yè)發(fā)展快速,對上游原材料需求維持這一個(gè)較高的水平,近幾年對硅片及硅基材料的需求基本在 130 億元左右的水平,但 12 英寸硅片完全依賴(lài)進(jìn)口,因此將來(lái)存在著(zhù)較大的進(jìn)口替代的可能性。
什么是半導體硅片
硅片又稱(chēng)硅晶圓片, 是制作集成電路的重要材料,通過(guò)對硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手 段,可以制成集成電路和各種半導體器件。 硅片是以硅為材料制造的片狀物體,直徑有 6 英寸、 8 英寸、 12 英寸等規格。單晶硅是硅的單晶體,是一種比較活潑的非金屬元素, 具有基本完整的點(diǎn)陣結構。不同的方向具有不同的性質(zhì),是一種良好的半導材料。純度 要求達到 99.9999%,甚至達到 99.9999999%,雜質(zhì)的含量降到 10-9的水平。采用西門(mén)子 法可以制備高純多晶硅,然后以多晶硅為原料,采用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長(cháng) 出棒狀單晶硅。單晶硅圓片按其直徑主要分為 6 英寸、 8 英寸、 12 英寸及 18 英寸等。
硅( Si)是目前最重要的半導體材料,全球 95%以上的半導體芯片和器件是用硅片作為基 底功能材料而生產(chǎn)出來(lái)的。在可預見(jiàn)的未來(lái),還沒(méi)有其它材料(如石墨烯等)可以替代 硅的地位。 在半導體制造業(yè)中廣泛使用各種不同尺寸與規格的硅片,通常包括 4 英寸、 5 英寸、 6 英寸、 8 英寸及 12 英寸,它們的基本規格如下表所示:
直拉法和區熔法的比較
硅片尺寸越大,將來(lái)在制成的每塊晶圓上就能切割出更多的芯片,單位芯片的成本也就 更低。在 1960 年時(shí)期就有了 0.75 英寸(約 20mm)左右的單晶硅片。在 1965 年左右 GordonMoore 提出摩爾定律時(shí),還是以分立器件為主的晶體管,然后開(kāi)始使用少量的 1.25 英寸小硅片,進(jìn)而集成電路用的 1.5 英寸硅片更是需求大增。
之后,經(jīng)過(guò) 2 英寸, 3 英寸,和4 英寸。接下來(lái) 5 英寸, 6 英寸, 8 英寸,然后進(jìn)入 12 英寸。 業(yè)界較為公認的說(shuō)法, 1980年代是 4 英寸硅片占主流,1990 年代是 6 英寸占主流,2000 年代是 8 英寸占主流,到 2002年時(shí)英特爾與 IBM 首先建 12 英寸生產(chǎn)線(xiàn),到 2005 年已占 20%,及 2008 年占 30%,而那時(shí) 8 英寸已下降至 54%及 6 英寸下降至 11%。 預計在 2020 年左右, 18 英寸( 450mm)的硅片將開(kāi)始投入使用。
半導體硅片尺寸發(fā)展歷程
單晶硅片是制造半導體硅器件的原料,用于制作大功率整流器、 大功率晶體管、二極管、 開(kāi)關(guān)器件等,其后續產(chǎn)品集成電路和半導體分立器件已廣泛應用于各個(gè)領(lǐng)域。單晶硅作 為一種重要的半導體材料,在光電轉換、傳統半導體器件中其應用已十分普遍。以電驅動(dòng) 的發(fā)光光源,如放電燈、熒光燈或陰極射線(xiàn)發(fā)光屏、 發(fā)光二極管等。從信息角度來(lái)看, 可利用光發(fā)射、放大、調制、加工處理、存儲、測量、顯示等技術(shù)和元件,構成具有特 定功能的光電子學(xué)系統。例如,利用光纖通信可以實(shí)現迅速和大容量信息傳送的目的。 它使原來(lái)類(lèi)似的技術(shù)水平得到大幅度的提高。
半導體單晶硅片的生產(chǎn)工藝流程
單晶硅片是單晶硅棒經(jīng)由一系列工藝切割而成的,制備單晶硅的方法有直拉法( CZ 法)、 區熔法( FZ 法)和外延法,其中直拉法和區熔法用于制備單晶硅棒材。區熔硅單晶的最 大需求來(lái)自于功率半導體器件。
單晶硅制備流程
直拉法簡(jiǎn)稱(chēng) CZ 法。 CZ 法的特點(diǎn)是在一個(gè)直筒型的熱系統匯總,用石墨電阻加熱,將裝在 高純度石英坩堝中的多晶硅熔化,然后將籽晶插入熔體表面進(jìn)行熔接,同時(shí)轉動(dòng)籽晶, 再反轉坩堝,籽晶緩慢向上提升,經(jīng)過(guò)引晶、放大、轉肩、等徑生長(cháng)、收尾等過(guò)程,得 到單晶硅。
區熔法是利用多晶錠分區熔化和結晶半導體晶體生長(cháng)的一種方法,利用熱能在半導體棒 料的一端產(chǎn)生一熔區,再熔接單晶籽晶。調節溫度使熔區緩慢地向棒的另一端移動(dòng),通 過(guò)整根棒料,生長(cháng)成一根單晶,晶向與籽晶的相同。區熔法又分為兩種:水平區熔法和 立式懸浮區熔法。前者主要用于鍺、 GaAs 等材料的提純和單晶生長(cháng)。后者是在氣氛或真 空的爐室中,利用高頻線(xiàn)圈在單晶籽晶和其上方懸掛的多晶硅棒的接觸處產(chǎn)生熔區,然 后使熔區向上移動(dòng)進(jìn)行單晶生長(cháng)。由于硅熔體完全依靠其表面張力和高頻電磁力的支托, 懸浮于多晶棒與單晶之間,故稱(chēng)為懸浮區熔法。
直拉法和區熔法的比較
單晶硅是從大自然豐富的硅原料中提純制造出多晶硅,再通過(guò)區熔或直拉法生產(chǎn)出區熔 單晶或直拉單晶硅,進(jìn)一步形成硅片、拋光片、外延片等。直拉法生長(cháng)出的單晶硅,用 在生產(chǎn)低功率的集成電路元件。而區熔法生長(cháng)出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。 直拉法加工工藝:加料→熔化→縮頸生長(cháng)→放肩生長(cháng)→等徑生長(cháng)→尾部生長(cháng),長(cháng)完的晶 棒被升至上爐室冷卻一段時(shí)間后取出,即完成一次生長(cháng)周期。
懸浮區熔法加工工藝:先從上、下兩軸用夾具精確地垂直固定棒狀多晶錠。用電子轟擊、高頻感應或光學(xué)聚焦法將一段區域熔化,使液體靠表面張力支持而不墜落。移動(dòng)樣品或加熱器使熔區移動(dòng)。這種方法不用坩堝,能避免坩堝污染,因而可以制備很純的單晶,也可采用此法進(jìn)行區熔。
半導體單晶硅片加工工藝流程
工業(yè)生產(chǎn)中對硅的需求主要來(lái)自于兩個(gè)方面:半導體級和光伏級。半導體級單晶硅和光 伏級單晶硅在加工工藝流程中存在著(zhù)一些差異,半導體級單晶硅的純度遠遠高于光伏級 單晶硅。半導體級單晶硅片的加工工藝流程:?jiǎn)尉L(cháng)→切斷→外徑滾磨→平邊或 V 型 槽處理→切片,倒角→研磨,腐蝕--拋光→清洗→包裝。
半導體單晶硅片切割工藝流程
單晶硅片產(chǎn)業(yè)鏈分析
單晶硅的制備工藝不同,所得到產(chǎn)品的純度和性能差異很大,因此其下游應用領(lǐng)域也有 所區別。單晶硅在日常生活中是電子計算機、自動(dòng)控制系統等現代科學(xué)技術(shù)中不可缺少 的基本材料。電視、電腦、手機、汽車(chē),處處都離不開(kāi)單晶硅材料,單晶硅作為科技應 用普及材料之一,已經(jīng)滲透到人們生活中的各個(gè)角落。
單晶硅及其應用分類(lèi)
整個(gè)單晶硅的產(chǎn)業(yè)鏈比較長(cháng),從最上游的多晶硅原料和設備等,到中游的單晶硅硅片, 延伸至下游的電力電子器件、高效率太陽(yáng)能光伏電池、射頻器件和微電子機械系統、各 種探測器和傳感器等,最后到計算機、汽車(chē)、光伏等各大行業(yè)。日本信越化工和 SUMCO 公司在單晶硅片領(lǐng)域占據了市場(chǎng)重要地位。
單晶硅產(chǎn)業(yè)鏈全景圖
(1)上游設備原材料格局
半導體元件所使用的單晶硅片系采用多晶硅原料再經(jīng)由單晶生長(cháng)技術(shù)所生產(chǎn)出來(lái)的。晶 硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài), 熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格的形 態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長(cháng)成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來(lái)形成的 晶體就叫多晶硅。
多晶硅所使用的原材料來(lái)自硅砂(二氧化硅),以鹽酸(或氯氣、氫氣)和冶金級工業(yè)硅為原料,將粗硅(工業(yè)硅)粉與鹽酸在高溫下合成為三氯氫硅,然后對三氯氫硅進(jìn)行化學(xué)精制提純,接著(zhù)對三氯氫硅進(jìn)行多級精餾,使其純度達到 9 個(gè) 9 以上,其中金屬雜質(zhì)總含量應降到 0.1ppba 以下,最后在還原爐中 在 1050℃的硅芯上用超高純的氫氣對三氯氫硅進(jìn)行還原而長(cháng)成高純多晶硅棒,再通過(guò)單晶生長(cháng)技術(shù)生產(chǎn)處單晶硅片。
電子級多晶硅(用于制備半導體單晶硅) 與太陽(yáng)能級多晶硅的區別主要就在于對純度的控制,最明顯的就在精餾工序,電子級和太陽(yáng)能級的塔高和數量相差很大。太陽(yáng)能能多晶硅純度為小數點(diǎn)后 6 個(gè) 9,電子級多晶硅小數點(diǎn) 12 個(gè) 9,整個(gè)工藝流程電子級比太陽(yáng)能級在原料純度,管道清洗,提純塔,廠(chǎng)房潔凈度等要求都要高。
電子級多晶硅的等級及相關(guān)技術(shù)要求
電子級多晶硅材料的生產(chǎn)與太陽(yáng)能級多晶硅相比,對產(chǎn)品純度、雜質(zhì)控制的要求都非常 苛刻,此過(guò)程中氯硅烷的分離提純工藝是關(guān)鍵步驟。三氯氫硅除硼一直是國內電子級多 晶硅材料領(lǐng)域的技術(shù)瓶頸。
電子級多晶硅與太陽(yáng)能級多晶硅的區別
近幾年來(lái),隨著(zhù)消費電子的快速發(fā)展以及未來(lái)汽車(chē)產(chǎn)生的大量需求,全球電子級多晶硅 料需求量穩步,預計未來(lái)幾年對于硅片的消費量會(huì )保持現在的上升趨勢。
全球電子硅材料需求情況
(2)關(guān)鍵生產(chǎn)設備都來(lái)自國外
單晶硅棒加工成單晶硅拋光硅片的加工流程: 單晶生長(cháng)→切斷→外徑滾磨→平邊或 V 型 槽處理→切片,倒角→研磨,腐蝕--拋光→清洗→包裝。通常一條生產(chǎn)線(xiàn)需要如下的設 備配置。目前國產(chǎn)設備雖然已經(jīng)覆蓋生產(chǎn)線(xiàn)的各個(gè)環(huán)節,但在質(zhì)量和精度方面與進(jìn)口設 備差距較大。因此,目前國內單晶硅廠(chǎng)商都采用進(jìn)口設備來(lái)進(jìn)行生產(chǎn)。
單晶硅生產(chǎn)線(xiàn)設備配置
單晶爐是一種在惰性氣體(氮氣、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料 熔化,用直拉法生長(cháng)無(wú)錯位單晶的設備。 單晶硅爐型號有兩種命名方式,一種為投料量, 一種為爐室直徑。比如 120、150 等型號是由投料量決定, 85 爐則是指主爐筒的直徑大小。 單晶硅爐的主體構成由主機、加熱電源和計算機控制系統三大部分組成。
半導體材料有別于一般電子產(chǎn)業(yè),不僅在純度與不純物的規格要求相當高,連從原物料 的來(lái)源與合成制造的生產(chǎn)過(guò)程都必須完全符合半導體制造商的規定,才有機會(huì )打入供應 體系。
再者,材料供應商與半導體制造商就先進(jìn)制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)時(shí),材料業(yè)者須亦步亦趨隨時(shí) 配合與反應制程參數調整的結果,國內材料廠(chǎng)雖具有就近協(xié)助與供應的優(yōu)勢,但配合度 與效率卻不如國際大廠(chǎng)。
國內外主要單晶硅爐生產(chǎn)廠(chǎng)商的現金產(chǎn)品
(3)半導體硅片全球格局情況
國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)最新統計數據顯示, 2016 年第三季全球硅晶圓出貨面積再度 打破歷史紀錄,達到 27.30 億平方英寸。與前一季 27.06 億平方英寸相比,第三季出貨 面積成長(cháng) 0.9%,也較 2015 年第三季的 25.91 億平方英寸增加 5.4%。硅晶圓是制造半導 體器件的基礎材料,對于電腦、通訊、消費性電子等所有電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō),都是十分重要 的物資。其出貨面積持續成長(cháng),也顯示市場(chǎng)對電子產(chǎn)品的需求仍在不斷成長(cháng)。
近五季全球硅晶圓出貨面積不斷上升
全球硅片市場(chǎng)規模近幾年穩步上升,未來(lái)上升將成為主要趨勢。 以工藝為標準可以將半 導體材料分為晶圓制造材料和封裝材料。 2015 年,總體晶圓制造市場(chǎng)達到 241 億美元, 封裝材料市場(chǎng)達到 193 億美元。 2015 年全球半導體單晶硅市場(chǎng)產(chǎn)值已達 434 億美元,在 整個(gè)半導體行業(yè)中所占比重達到 13%。
2013-2016 年全球硅片市場(chǎng)規模
半導體材料分為晶圓制造材料和封裝材料,晶圓制造材料主要包括大硅片、光刻膠、濕 化學(xué)品、特種氣體、拋光液和拋光墊等。硅片及硅基材是半導體材料中最重要的部分, 占半導體材料市場(chǎng)份額的 32%,由于我國半導體產(chǎn)業(yè)起步較晚,再加上半導體硅片的制備 工藝要求極高,該部分市場(chǎng)幾乎均由國外廠(chǎng)商壟斷。
目前主流半導體硅片市場(chǎng)的全球寡頭壟斷已經(jīng)形成,日本、臺灣、德國和韓國資本控制的 6 大硅片公司的銷(xiāo)量占到 95%。信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì )社作為日本半導體材料行業(yè)的龍頭企業(yè)之一,是全球最大的半導體硅片供應商, 2015 年在全球半導體硅片市場(chǎng)中占有 27%的份額, SUMCO 公司緊隨其后。
硅晶圓產(chǎn)業(yè)幾乎由國外廠(chǎng)商壟斷
半導體單晶硅片下游市場(chǎng)前景廣闊
半導體單晶硅片下游市場(chǎng)整體向好,繼續保持增長(cháng)趨勢。 2015 年全球半導體代工市場(chǎng)增 長(cháng) 4.4%,達到 488 億美元。 在新技術(shù)(云計算、人工智能、智能駕駛)逐步興起的背景 下,基于對深度大數據處理的需求大幅增加,將帶來(lái)半導體硬件設備的快速更新升級。 半導體行業(yè)或迎來(lái)大規模發(fā)展契機。
硅片是最主要的半導體材料,歷年來(lái)硅晶圓片的市場(chǎng)銷(xiāo)售額占整個(gè)半導體材料市場(chǎng)總銷(xiāo) 售額的 32%~40%。 近些年來(lái),硅晶圓占半導體材料市場(chǎng)的比重基本保持穩定, 2013 年硅 晶圓占半導體材料市場(chǎng)的比重為 35%, 2015 年占比 34%??梢灶A見(jiàn)在未來(lái)幾年內,硅晶圓依舊將在半導體材料市場(chǎng)占據重要地位。
2015 年全球半導體前道各材料市場(chǎng)比重
數據顯示, 2015 年硅拋光晶圓與硅外延晶圓合計 10434MSI(百萬(wàn)平方英寸); SEMI 協(xié)會(huì ) 表示, 2015 年硅晶圓片總出貨量超越 2014 年創(chuàng )下的歷史記錄,預計 2016 年和 2017 年有望再創(chuàng )新高。
2013-2017 年全球硅晶圓片的出貨量計
雖然在 2005 年至 2010 年期間,不同尺寸硅片市場(chǎng)數據波動(dòng)起伏,但是從 2011 年至 2015年,全球不同尺寸硅片市場(chǎng)規模穩步上升。預計在 2017 年硅片總量將超過(guò) 120 億平方英寸,同時(shí) 12 英寸硅片所占比重越來(lái)越大,牢牢占據主流地位。
全球硅片市場(chǎng)現狀及發(fā)展預測
2015 年全球半導體市場(chǎng)增長(cháng)緩慢,主要是因為 3.9%的亞太地區增長(cháng)抵消了 10.3%的日本 下滑和 8.2%的歐洲下滑。半導體需求主要受到 PC 出貨放緩、美元升值、日本經(jīng)濟萎縮、 歐洲危機和中國股票市場(chǎng)影響。其中,中國半導體銷(xiāo)售額占到全球半導體消費的 50%以上。 未來(lái)幾年內全球半導體市場(chǎng)將呈現回暖趨勢,2016年和 2017年將分別增長(cháng) 1.4%和 3.1%。
迄今為止,主要半導體市場(chǎng)亞太地區已經(jīng)推動(dòng)半導體行業(yè)增長(cháng);鑒于中國經(jīng)濟疲軟,半 導體市場(chǎng)將呈現緩慢增長(cháng)的趨勢。 2017 年全球的半導體市場(chǎng)將呈現增長(cháng)勢頭,這將直接 帶動(dòng)全球半導體級硅片市場(chǎng)的增長(cháng),雖然增長(cháng)率有所放緩,但是增長(cháng)的趨勢是一定的。
2014-2017 年全球半導體市場(chǎng)規模
由于半導體行業(yè)去庫存已接近尾聲,隨著(zhù)市場(chǎng)需求逐漸回暖,半導體行業(yè)景氣度逐步提 升。預計全球半導體的資本支出和設備投資規模在未來(lái)兩年能夠保持相對穩定的增長(cháng)率, 半導體級硅片行業(yè)也會(huì )因此受益,在未來(lái)對于硅片的需求將穩步上升。
2014-2018 年全球半導體的資本支出和
需要強調的一點(diǎn)就是300mm硅片需求持續增長(cháng)。
半導體芯片制造技術(shù)遵循摩爾定律,不同尺寸硅片市場(chǎng)的消長(cháng)和發(fā)展輪換,硅片整體沿 大尺寸趨勢發(fā)展。 單晶硅片直徑越大,所能刻制的集成電路越多,芯片的成本也就越低。 300mm 硅片從 1990 年代末迅速切入市場(chǎng),經(jīng)過(guò)幾年發(fā)展,迅速成為市場(chǎng)的主流,并且未 來(lái)也將占據主流地位。
根據 SEMI 發(fā)布的市場(chǎng)消息, 2015 年全球硅片材料市場(chǎng)消耗約 100億平方英寸。其中 300mm 占約 70%。與此同時(shí), 200mm 硅片出貨目前還占據大約 20%市場(chǎng)份額。由于 MEMS、功率模擬等產(chǎn)品預計將以超越摩爾定律的方式繼續發(fā)展, 200mm 硅片未來(lái)還將繼續保持一定的市場(chǎng)份額。目前業(yè)界的主流預測是, 450mm 硅片有可能在 2017年左右開(kāi)始導入小批量生產(chǎn),第一批客戶(hù)可能只有 Intel 一家。之后幾年 450mm 的硅片也將遵循規律,迎來(lái)一段時(shí)間的強勁增長(cháng)。預計硅片需求依舊會(huì )保持持續增長(cháng)態(tài)勢。
300mmFabs 將會(huì )在 2021 年左右達到高峰,之后市場(chǎng)將迎來(lái) 450mmFabs 的補充, 300mmFabs將逐漸減少??傮w供給預計將不會(huì )減少。
根據 IC Insights 統計的 2016-2020 年全球晶圓產(chǎn)能報告顯示,全球營(yíng)運中的 12 寸(300mm) 晶圓廠(chǎng)數量持續成長(cháng),預期在 2016 年可達到 100 座。此外,目前全球有 8 座 12 寸晶圓 廠(chǎng)預計 2017 年開(kāi)幕,有可能使該年度成為自 2014 年有 9 座晶圓廠(chǎng)開(kāi)始營(yíng)運以來(lái),第二 個(gè)有最多數量晶圓廠(chǎng)投入營(yíng)運的年份。到 2020 年底,預期全球將有再 22 座的 12 寸晶圓廠(chǎng)營(yíng)運,讓全球應用于 IC 生產(chǎn)的 12 寸晶圓廠(chǎng)總數達到 117 座。
而如果 18 寸(450mm)晶圓邁入量產(chǎn), 12 寸晶圓廠(chǎng)的高峰數量可達到 125 座左右。 12 英寸( 300mm) 的硅片主要是用來(lái)做邏輯芯片和記憶芯片的,而其余的比如汽車(chē)半導體、指紋識別芯片、攝像機 CIS芯片都是采用 8 英寸的硅片。而根據研調機構 IC Insights 最新報告預測, DRAM 與 NAND閃存等,未來(lái)五年年均複合增長(cháng)率( CAGR)可達 7.3%,產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴增至 1,099 億美元,增長(cháng)達到 42.2%。 因此,全球對于 300mm 大硅片的需求將持續擴張。
根據統計,大陸 12 寸晶圓廠(chǎng)達到 10 座,若全部投產(chǎn)未來(lái)大陸 12 寸芯片總產(chǎn)能預計超過(guò) 55 萬(wàn)片/月。而目前國內的 12 寸( 300mm)硅片產(chǎn)量幾乎為零,這是產(chǎn)業(yè)鏈上最為緊缺的一環(huán)。全球 12 寸硅片日本生產(chǎn)的最多,日本信越和 SUMCO,這兩家的產(chǎn)能和實(shí)際供應量總和占全球 2/3 以上。 300mm 半導體級的大硅片,不僅是產(chǎn)業(yè)鏈缺失的重要一環(huán),也是國家安全戰略發(fā)展的需要。因此,大陸本土對于 12 寸硅片的下游需求正在迅速擴張。
2015 年全球不同尺寸硅片材料市場(chǎng)消耗超過(guò) 100 億平方英寸,預計到 2020 年全球不同尺寸硅片材料市場(chǎng)消耗將突破 120 億平方英寸。 其中, 12 寸( 300mm) 晶圓市場(chǎng)規模將不斷擴大, 到 2020 年將占到 80%, 而 8 寸( 200mm) 和 6 寸( 150mm) 及以下的硅片市場(chǎng)規模將越來(lái)越小。
全球不同尺寸硅片市場(chǎng)現狀及預測
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